TC58BVG1S3HTA00の購入情報と機能
| この部品の機能は「2 GBIT (256M x 8 BIT) CMOS NAND E2PROM」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| TC58BVG1S3HTA00 CMOS | 2 GBIT (256M x 8 BIT) CMOS NAND E2PROM TC58BVG1S3HTA00
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
2 GBIT (256M × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM
DESCRIPTION
The TC58BVG1S3HTA00 is a single 3.3V 2 Gbit (2,214,592,512 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (2048 + 64) bytes × |
Toshiba |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| TC5164805BJS | (TC516x805Bxx) EDO DRAM
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Data |
Toshiba |
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| TC581282AXB | 128-MBIT (16M X 8 BITS) CMOS NAND E2PROM
TC581282AXB
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
2
TENTATIVE
128-MBIT (16M × 8 BITS) CMOS NAND E PROM DESCRIPTION
The TC581282A is a single 3.3 V 128-Mbit (138,412,032) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as 528 bytes × 3 |
 Toshiba Semiconductor |
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| TC55V16256FT-15 | 16-BIT CMOS STATIC RAM |
Toshiba Semiconductor |
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| TC56V | 500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators SEMICONDUCTOR
500 mW DO-35 Hermetically
Sealed Glass Zener Voltage Regulators
AXIAL LEAD DO35
Absolute Maximum Ratings
Parameter Power Dissipation Storage Temperature Range Operating Junction Temperature
TA = 25°C unless otherwise noted Value 500 -65 to +175 +175 Units mW °C °C
L : Logo Device |
 Tak Cheong |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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