TC5164805BJSの購入情報と機能
| この部品の機能は「(TC516x805Bxx) EDO DRAM」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| TC5164805BJS Data | (TC516x805Bxx) EDO DRAM
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Data |
Toshiba |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| TC514800AJ | (TC514800Axx) DRAM
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Data |
Toshiba |
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| TC58TEG6DCJTAI0 | NAND memory Toggle DDR1.0 TOSHIBA CONFIDENTIAL Tx58TEGxDCJTAx0
TOSHIBA NAND memory Toggle DDR1.0 Technical Data Sheet
Rev. 0.3 2012 04 10
TOSHIBA Semiconductor & Storage Products
Memory Division
TC58TEG6DCJTA00 , TC58TEG6DCJTAI0 TH58TEG7DCJTA20 , TH58TEG7DCJTAK0 TH58TEG8DCJTA20 , TH58TEG8DCJTAK0
0
TENTATIVE 2012-04- |
Toshiba |
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| TC5V6 | 500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators SEMICONDUCTOR
500 mW DO-35 Hermetically
Sealed Glass Zener Voltage Regulators
AXIAL LEAD DO35
Absolute Maximum Ratings
Parameter Power Dissipation Storage Temperature Range Operating Junction Temperature
TA = 25°C unless otherwise noted Value 500 -65 to +175 +175 Units mW °C °C
L : Logo Device |
 Tak Cheong |
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| TC58NVG2S0FTA00 | 4 GBIT (512M x 8 BIT) CMOS NAND E2PROM TC58NVG2S0FTA00
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
4 GBIT (512M × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM
DESCRIPTION
The TC58NVG2S0F is a single 3.3V 4 Gbit (4,529,848,320 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (4096 + 224) bytes × 64 |
Toshiba |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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