BLP55の購入情報と機能

BLPN64 PIN Si 光 二 管 描述 工作在低 域的 Si 光 二 管， 可探 波 于峰 波 附近的光信 。 用 控 路 光 通信 平面 NIP 型二 管 ： 部 AlSi ：底部 Au 外形 和尺寸 芯片尺寸：1.53 mm × 1.53 mm 芯片厚度：0.400± 0.018mm 点尺寸：�

BLP0240 PIN Si 光 二 管 描述 工作在低 域的 Si 光 二 管， 可探 波 于峰 波 附近的光信 。 用 控 路 光 通信 芯片 ：平面 PIN 型 ： 部 AlSi 外形 和尺寸 Anode Cathode N P 芯片尺寸：1.0 mm × 1.0 mm 芯片厚度：300±25 m 向 N P

BLP25M710 Broadband LDMOS driver transistor Rev. 1 29 August 2013 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description A 10 W LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 2500 MH- band. Table 1. Application information Test signal f (MHz) IDq (mA) V

BLP8G10S-45P; BLP8G10S-45PG Power LDMOS transistor Rev. 1 25 July 2013 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description The BLP8G10S-45P and BLP8G10S-45PG are dual path, 45 W LDMOS power transistors for base station applications at frequencies from 700 MH- to 1000 MHz. Table 1. App