BLP0240の購入情報と機能
| この部品の機能は「Si PIN junction photodiode」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| BLP0240 Diode | Si PIN junction photodiode
BLP0240
PIN Si 光 二 管 描述
工作在低 域的 Si 光 二 管， 可探 波 于峰 波 附近的光信 。
用 控 路
光 通信
芯片 ：平面 PIN 型 ： 部 AlSi
外形 和尺寸
Anode Cathode
N
P
芯片尺寸：1.0 mm × 1.0 mm 芯片厚度：300±25 m
向
N P |
SHANGHAI BELLING |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| BLP10H605 | Broadband LDMOS driver transistor BLP10H605
Broadband LDMOS driver transistor
Rev. 3 2 October 2014
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
A 5 W plastic LDMOS power transistor for broadcast transmitter and ISM applications at frequencies from HF to 1400 MHz.
Table 1. Application performance
Test signal
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 NXP Semiconductors |
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| BLP40 | Changing the Shape of Power
BLP40 AC-DC Series Data Sheet 40 Watts
Features RoHS lead-free solder and lead-solder-exempted products are available Industry-standard 3” x 5” footprint Main output remote sense CE marked to Low Voltage Directive (Pending) Compliance to EN61000-4-2, -3, -4, -5, -6, -8
Description The B |
 Power-One |
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| BLP8G21S-160PV | Power LDMOS transistor BLP8G21S-160PV
Power LDMOS transistor
Rev. 3 1 July 2014
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
160 W LDMOS transistor for base station applications at frequencies from 1880 MH- to 2025 MHz.
Table 1. Typical performance Typical RF performance per section at Tcase = 25 C |
NXP Semiconductors |
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| BLP25M705 | Broadband LDMOS driver transistor BLP25M705
Broadband LDMOS driver transistor
Rev. 2 9 February 2015
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
A 5 W LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 2500 MH- band.
Table 1. Application information
Test signal
f
(MHz)
Pulsed RF |
NXP Semiconductors |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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