2SC3380の購入情報と機能
| この部品の機能は「Silicon NPN Triple Diffused」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| 2SC3380 Transistor | Silicon NPN Triple Diffused 2SC3380
Silicon NPN Triple Diffused
Application
High frequency high voltage amplifier High voltage switch
Outline
UPAK
1 3 2
4
1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector (Flange)
2SC3380
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitt |
Hitachi Semiconductor |
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| 2SC3380 Transistor | Silicon NPN Triple Diffused |
Renesas |
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| 2SC3380 Transistor | Transistor |
TY Semiconductor |
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| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SC2831 | Si NPN Triple Diffused Junction Mesa |  ETC |
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| 2SC3963 | Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)
2SC3963
2SC3963
High-Voltage General Amplifier Applications Color TV Class B Sound Output Applications
Unit: mm
High voltage: VCEO = 160 V
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-b |
 Toshiba Semiconductor |
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| 2SC1949 | NPN Silicon Transistor | ETC |
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| 2SC3353 | Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
2SC3353
DESCRIPTION ·Collector-Emiiter Sustaining Voltage: VCEO(SUS)= 500V(Min.) ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max.)@ IC= 3A ·High Speed Switching
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APPLICATIONS ·Designed for high spe |
 Inchange Semiconductor |
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