2SC2630の購入情報と機能
| この部品の機能は「NPN EPITAXIAL TRANSISTOR」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| 2SC2630 Transistor | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR RF POWER TRANSISTOR, Emitter ballasted construction and gold metallization for high reliability and good performances. |
Mitsubishi Electric Semiconductor |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SC2860 | Si NPN Epitaxial Planar |  Panasonic Semiconductor |
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| 2SC3978A | Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) Power Transistors
2SC3978, 2SC3978A
Silicon NPN triple diffusion planar type
For high breakdown voltage high-speed switching
0.7±0.1
Unit: mm
10.0±0.2 5.5±0.2 2.7±0.2 4.2±0.2 φ3.1±0.1 1.4±0.1 1.3±0.2 0.8±0.1 0.5 +0.2 0.1 2.54±0.25 5.08±0.5 1 2 3 4.2±0.2
s Features
q q q q q
High-sp |
Panasonic Semiconductor |
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| 2SC1983L | (2SC1983L / 2SC1984L) NPN Silicon General Purpose Transistor 2SC1383L, 2SC1384L
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free
4.9±0.2
NPN Silicon
General Purpose Transistor
TO-92L
3 .9 ±0.2
FEATURE Power dissipation
2.0 +0.3 0.2 14 ±0. 2
1 0. 45 +0. 0.1 05 0.4 0 +0. 0. 05
PCM: Collector current IC |
 SeCoS Halbleitertechnologie GmbH |
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| 2SC3380 | Silicon NPN Triple Diffused 2SC3380
Silicon NPN Triple Diffused
Application
High frequency high voltage amplifier High voltage switch
Outline
UPAK
1 3 2
4
1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector (Flange)
2SC3380
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitt |
 Hitachi Semiconductor |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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