2SA790の購入情報と機能
| この部品の機能は「2SA790 2SA791 2SA830 2SA831」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| 2SA790 Transistor | 2SA790 2SA791 2SA830 2SA831 |
ROHM Semiconductor |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SA1386A | Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose) LAPT
2SA1386, 1386A
Application : Audio and General Purpose
(Ta=25°C) 2SA1386 100max VCB= IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) fT COB VEB= 5V IC= 25mA VCE= 4V, IC= 5A IC= 5A, IB= 0.5A VCE= 12V, IE=2A VCB= 10V, f=1MH- 160 160min 2SA1386A 100max 180 100max 180min 50min 2.0max 40typ 500typ V MH- pF
5.4 |
 Sanken electric |
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| 2SA838 | Silicon PNP epitaxial planer type(For high-frequency amplification Complementary to 2SC1359) Transistor
2SA838
Silicon PNP epitaxial planer type
For high-frequency amplification Complementary to 2SC1359
5.1±0.2
Unit: mm
5.0±0.2 4.0±0.2
s Features
q
High transition frequency fT.
s Absolute Maximum Ratings
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to bas |
 Panasonic Semiconductor |
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| 2SA1803 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |  Toshiba Semiconductor |
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| 2SA2101 | Transistor, Silicon PNP Epitaxial Type
Power Transistors
2SA2101
Silicon PNP epitaxial planar type
Unit: mm
- Features
High-speed switching (tstg: storage time, tf: fall time is short) Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Superior forward current transfer ratio hFE linearity TO-220D built-in: Excellent package with w |
Panasonic Semiconductor |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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