2SA1259の購入情報と機能
| この部品の機能は「Silicon PNP Power Transistors」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| 2SA1259 Transistor | Silicon PNP Power Transistors INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
DESCRIPTION ·High DC Current Gain-
: hFE = 2000(Min)@ IC= -2.5A ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage
: VCE(sat) = -1.5V(Max)@ IC= -2.5A ·Complement to Type 2SC3145
isc Product Specification
2SA1259
APPLICATIONS ·Designed f |
Inchange Semiconductor |
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| 2SA1259 Transistor | PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistors |
Sanyo Semicon Device |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SA2070 | Silicon PNP Epitaxial Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
2SA2070
High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications
2SA2070
Unit: mm
High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = -0.1 A) Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) =- 0.20 V (max) High-speed switching: tf = 70 ns (typ.)
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 Toshiba Semiconductor |
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| 2SA1477 | PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number:ENN2089B
PNP, NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1477, 2SC3787
160V, 140mA Switching Applications
Applications
· Predrivers for 100W power amplifiers.
Features
· Adoption of FBET process. · Excellent linearity of hFE. · Small Cob. · Plastic-convered heat sink facilita |
Sanyo Semicon Device |
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| 2SA968A | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR PCT PROCESS |  ETC |
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| 2SA1920 | High Voltage Switching Transistor w
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 ROHM Semiconductor |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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