TC58FVT641の購入情報と機能
| この部品の機能は「(TC58Fxxx) TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| TC58FVT641 Gate | (TC58Fxxx) TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS TC58FVT641, B641FT, XB-70,-10
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
64-MBIT (8M × 8 BITS , 4M × 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY DESCRIPTION
The TC58FVT641, B641 is a 67,108,864-bit, 3.0-V read-only electrically erasable and programmable flash memory organized as 8,388,608 words × |
Toshiba Semiconductor |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| TC55NEM216ASTV55 | (TC55NEM216ASTV55 / TC55NEM216ASTV77) MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS TC55NEM216ASTV55,70
TENTATIVE
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
262,144-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM DESCRIPTION
The TC55NEM216ASTV is a 4,194,304-bit static random access memory (SRAM) organized as 262,144 words by 16 bits. Fabricated using Toshiba's CMOS Silicon g |
Toshiba Semiconductor |
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| TC55V4326FF-150 | MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
Toshiba Semiconductor |
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| TC55B8128J-15 | CMOS 1M-Bit Static RAM
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C-MOS 1M (131,072x8)-BIT STATIC RAM
- TOP VIEW 13
TC55B8128J-15 (1, 2) IL11
A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
I, O8 I, O7 I, O6 I, O5 I, O4 I, O3 I, O2 I, O1
27 26 23 22 11 10 7 6
A3 IN 1 A2 IN 2 A1 IN 3 A0 IN 4 CE IN 5 I, O1 6 I, O2 7 8 VDD (+5 V) 9 GND I, |
 ETC |
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| TC5165405BFTS | (TC516x405Bxx) EDO DRAM
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Data |
 Toshiba |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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