TC58FVT321XBの購入情報と機能
| この部品の機能は「(TC58FVxxx) TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| TC58FVT321XB Gate | (TC58FVxxx) TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS TC58FVT321, B321FT, XB-70,-10
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
32-MBIT (4M × 8 BITS , 2M × 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY DESCRIPTION
The TC58FVT321, B321 is a 33,554,432-bit, 3.0-V read-only electrically erasable and programmable flash memory organized as 4,194,304 words × |
Toshiba Semiconductor |
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| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
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| TC55V328BJ | (TC55V328BJ/BFT) 8-Bit CMOS SRAM |
 Toshiba |
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| TC55B328J | 32K x 8-Bit BiCMOS Static RAM TOSHIBA
1l:55B328P, ]-10, 12
SILICON GATE BiCMOS
32,768 WORD x 8 BIT BiCMOS STATIC RAM
Description
The TC55B328P, J is a 262,144 bit high speed BiCMOS static random access memory organized as 32,768 words by 8 bits and operated from a single 5V supply. Toshiba's BiCMOS technology and advanced ci |
Toshiba |
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| TC58128FTI | 128M-Bit CMOS NAND EPROM |
Toshiba Semiconductor |
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| TC55257CPL | (TC55257xxx) Silicon Gate CMOS | Toshiba Semiconductor |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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