TC58BVG2S0HTAI0の購入情報と機能
| この部品の機能は「4 GBIT (512M x 8 BIT) CMOS NAND E2PROM」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| TC58BVG2S0HTAI0 CMOS | 4 GBIT (512M x 8 BIT) CMOS NAND E2PROM TC58BVG2S0HTAI0
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
4 GBIT (512M × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM
DESCRIPTION
The TC58BVG2S0HTAI0 is a single 3.3V 4 Gbit (4,429,185,024 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (4096 + 128) bytes × |
Toshiba |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| TC58BYG2S0HBAI4 | 4 GBIT (512M x 8 BIT) CMOS NAND E2PROM TC58BYG2S0HBAI4
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
4 GBIT (512M × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM
DESCRIPTION
The TC58BYG2S0HBAI4 is a single 1.8V 4 Gbit (4,429,185,024 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (4096 + 128) bytes × |
Toshiba |
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| TC5116400BSJ | 4194304 word x 4 Bit Dynamic Ram w
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Toshiba |
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| TC58TEG5DCJTA00 | NAND memory Toggle DDR1.0 TOSHIBA CONFIDENTIAL TC58TEG5DCJTAx0
TOSHIBA NAND memory Toggle DDR1.0 Technical Data Sheet
Rev. 0.2 2012 03 01 TOSHIBA Semiconductor & Storage Products Memory Division
0
TENTATIVE 2012-03-01C
TOSHIBA CONFIDENTIAL TC58TEG5DCJTAx0
CONTENTS
1. INTRODUCTION ...................................... |
Toshiba |
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| TC514400J | 1048576 Word x 4 Bit DRAM w
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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