TC5165405BFTの購入情報と機能
| この部品の機能は「(TC516x405Bxx) EDO DRAM」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| TC5165405BFT Data | (TC516x405Bxx) EDO DRAM
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Data |
Toshiba |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| TC58NVG6D2GTA00 | 64 GBIT (8G X 8 BIT) CMOS NAND E2PROM TOSHIBA CONFIDENTIAL
TENTATIVE
TC58NVG6D2GTA00
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
2
64 GBIT (8G 8 BIT) CMOS NAND E PROM (Multi-Level-Cell) DESCRIPTION
The TC58NVG6D2 is a single 3.3 V 64 Gbit (74,594,648,064 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory |
Toshiba |
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| TC59SM904AFT | SDRAM
TC59SM916, 08, 04AFT, AFTL-70,-75,-80
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC
8,388,608-WORDS × 4BANKS × 16-BITS SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 16,777,216-WORDS × 4BANKS × 8-BITS SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 33,554,432-WORDS × 4BANKS × 4-BITS SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPT |
Toshiba |
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| TC5504A | 4096 word x 1 Bit CMOS Static RAM | Toshiba |
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| TC58NVG0S3ETA00 | 1 GBIT (128M X 8 BIT) CMOS NAND E2PROM TC58NVG0S3ETA00
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
1 GBIT (128M × 8 BIT) CMOS NAND E PROM DESCRIPTION
The TC58NVG0S3E is a single 3.3V 1 Gbit (1,107,296,256 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (2048 + 64) bytes × 64 p |
Toshiba |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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