SIRA04DPの購入情報と機能
| この部品の機能は「N-Channel 30V (D-S) MOSFET」です。 |
|
|
製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| SIRA04DP MOSFET | N-Channel 30V (D-S) MOSFET New Product
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SiRA04DP
Vishay Siliconix
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
RDS(on) ( ) (Max.)
0.00215 at VGS = 10 V 30
0.00310 at VGS = 4.5 V
ID (A)a, g 40 40
Qg (Typ.) 22.5 nC
PowerPAK® SO-8
6.15 mm
D 8D
7 D
6 D
5
S 1S
5.15 mm
2 S
3 G
4
Bottom View
Ordering Informati |
Vishay |
|
PDF and Buy Now
関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| SIR882ADP | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET New Product
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
SiR882ADP
Vishay Siliconix
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
RDS(on) ( ) Max.
0.0087 at VGS = 10 V 100 0.0094 at VGS = 7.5 V
0.0115 at VGS = 4.5 V
PowerPAK® SO-8
ID (A)a 60 60 60
Qg (Typ.) 19.5 nC
6.15 mm
S 1S
5.15 mm
2 S
3 G
4
D
8D 7 D 6 D 5
Bottom Vie |
Vishay |
|
| SIR770DP | Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET SiR770DP
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
VDS
RDS(on) ( )
Channel-1 30 0.021 at VGS = 10 V 0.025 at VGS = 4.5 V
Channel-2 30 0.021 at VGS = 10 V 0.025 at VGS = 4.5 V
ID (A)a, f 8.0 8.0 8.0 8.0
Qg (Typ.) 6.6
6.6
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY
VD |
Vishay |
|
| SIR414DP | N-Channel MOSFET New Product
SiR414DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) (Ω) 0.0028 at VGS = 10 V 0.0032 at VGS = 4.5 V ID (A)a 50 50 Qg (Typ.) 38 nC
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition TrenchFET® Power MOSFET 100 % Rg Tested 100 % UIS T |
 Vishay Siliconix |
|
| SiRA14DP | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET www.vishay.com
SiRA14DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30
RDS(on) ( ) MAX. 0.00510 at VGS = 10 V 0.00850 at VGS = 4.5 V
ID (A) a 58 45
Qg (TYP.) 9.4 nC
PowerPAK® SO-8 Single D
D8 D7 D6
5
6.15 mm
1
Top View
5.15 mm
1 2S 3S 4S G Bottom View
Ordering |
Vishay |
|
|
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
|
|