SFH435の購入情報と機能
| この部品の機能は「GaAs INFRARED EMITTER DOUBLE EMITTING DIODE」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| SFH435 Diode | GaAs INFRARED EMITTER DOUBLE EMITTING DIODE |
Siemens Semiconductor Group |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| SFH480 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 480 SFH 481 SFH 482
2.54mm spacing
ø0.45
ø4.8 ø4.6
1 0.9 .1
Chip position (2.7)
Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400)
Radiant Sensitive area
ø5.6 ø5.3
5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 |
Siemens Semiconductor Group |
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| SFH205F | Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter
SFH 205 F
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben, Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet f r Anwendungen bei 950 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q 5 mm |
Siemens Semiconductor Group |
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| SFH426 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Geh use GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 (typ) 0.9 0.7
SFH 421 SFH 426
fpl06724
3.4 3.0
2.4
0.8 0.6 Cathode, Collector marking Approx. weight 0.03 g
1.1 0.5
0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode, Collector
GPL06724
3.7 3.3
SFH 421 TOPLED |
Siemens Semiconductor Group |
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| SFH600-0 | TRIOS PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLER TRIOS®* PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLER
FEATURES High Current Transfer Ratios SFH600-0, 40 to 80% SFH600-1, 63 to 125% SFH600-2, 100 to 200% SFH600-3, 160 to 320% Isolation Test Voltage (1 Sec.), 5300 VACRMS VCEsat 0.25 ( 0.4) V, IF=10 mA, IC=2.5 mA High Quality Premium Device Long Term Stability |
Siemens Semiconductor Group |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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