P6NC60の購入情報と機能
| この部品の機能は「STP6NC60」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| P6NC60 Data | STP6NC60 N-CHANNEL 600V - 1Ω - 6A TO-220, TO-220FP, I2PAK PowerMESH™II MOSFET
TYPE STP(B)6NC60(-1)
STP6NC60FP
s s s s s
STP6NC60 - STP6NC60FP STB6NC60-1
VDSS 600 V 600 V
RDS(on) < 1.2 Ω < 1.2 Ω
ID 6A 6A
3 1 2
TYPICAL RDS(on) = 1.0 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED NEW H |
ST Microelectronics |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| P6NK60 | STP6NK60
STP6NK60Z - STP6NK60ZFP STB6NK60Z - STB6NK60Z-1
N-CHANNEL 600V - 1Ω - 6A TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET
TYPE STP6NK60Z STP6NK60ZFP STB6NK60Z STB6NK60Z-1
s s s s s s
VDSS 600 600 600 600 V V V V
RDS(on) < 1.2 < 1.2 < 1.2 < 1.2 Ω Ω Ω Ω
ID 6 6 6 6 |
 STMicroelectronics |
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| P6N60FI | STP6N60FI ( t : )
STP6N60FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STP6N60FI
s s s s s
VDSS 600 V
R DS(on) < 1.2 Ω
ID 3.8 A
TYPICAL RDS(on) = 1 Ω AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION
3 1 2
APPLI |
ST Microelectronics |
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| P6NB80FP | STP6NB80FP
STP6NB80 STP6NB80FP
N - CHANNEL 800V - 1.6 Ω - 5.7A - TO-220, TO-220FP PowerMESH ™ MOSFET
PRELIMINARY DATA TYPE ST P6NB80 ST P6NB80FP
s s s s s
V DSS 800 V 800 V
R DS(on) < 1.9 Ω < 1.9 Ω
ID 5.7 A 5.7 A
TYPICAL RDS(on) = 1.6 Ω EXTREMELY HIGH dv, dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VE |
 ST MICROELECTRONICS |
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| P6NK90ZFP | STP6NK90ZFP STP6NK90Z - STP6NK90ZFP STB6NK90Z
N-CHANNEL 900V - 1.75Ω - 5.8A TO-220, TO-220FP, D2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET
TYPE STP6NK90Z STP6NK90ZFP STB6NK90Z
s s s s s s
VDSS 900 V 900 V 900 V
RDS(on) <2Ω <2Ω <2Ω
ID 5.8 A 5.8 A 5.8 A
Pw 140 W 30 W 140 W
3 1 2
TYPICAL RDS(on) = 1 |
STMicroelectronics |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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