IRLU020の購入情報と機能
| この部品の機能は「(IRLU020 / IRLU024) N-Channel Logic Level MOSFET」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| IRLU020 MOSFET | (IRLU020 / IRLU024) N-Channel Logic Level MOSFET w
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Samsung Electronics |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| IRLR024 | (IRLU/R024) Power MOSFET |  International Rectifier |
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| IRLI3615PBF | Power MOSFET, Transistor PD - 95596
IRLI3615PbF
HEXFET® Power MOSFET
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Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv, dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free
D
VDSS = 150V
G S
RDS(on) = 0.085 Ω ID = 14A
Description
Fifth Generation HEXFETs |
International Rectifier |
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| IRLML6302 | HEXFET Power MOSFET PD - 91259G
HEXFET® Power MOSFET
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IRLML6302
VDSS = -20V
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel Fast Switching
G 1 3 D S 2
RDS(on) = 0.60Ω
Description
Fifth Generation HEXFETs from Internat |
International Rectifier |
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| IRLF120 | N-CHANNEL TRANSISTORS PD-90639C
REPETITIVE AVALANCHE AND dv, dt RATED
HEXFET®TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-39)
Product Summary
Part Number BVDSS
IRLF120
100V
RDS(on) 0.35Ω
ID 5.3A
IRLF120
100V, N-CHANNEL
The Logic Level ‘L’ series of power MOSFETs are designed to be operated with level logic gate-to-source vo |
International Rectifier |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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