IRFSL3206PBFの購入情報と機能
| この部品の機能は「(IRFxx3206PBF) HEXFET Power MOSFET」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| IRFSL3206PBF MOSFET | (IRFxx3206PBF) HEXFET Power MOSFET Applications l High Efficiency Synchronous Rectification
in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits
Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dV, dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche SOA l Enhanced bo |
International Rectifier |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| IRF232R | Trans MOSFET N-CH 200V 7.3A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |  New Jersey Semiconductor |
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| IRF1104S | (IRF1104L/S) HEXFET Power MOSFET
PD -91845
IRF1104S, L
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount (IRF1104S) Low-profile through-hole (IRF1104L) 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated
D
VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω
G
ID = 100A
S
Descrip |
International Rectifier |
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| IRF153 | N-Channel Power MOSFETs/ 40 A/ 60 V/100 V |  Fairchild Semiconductor |
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| IRF1010EPBF | Power MOSFET, Transistor
PD - 94965A
IRF1010EPbF
l l l l l l l
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv, dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET
D
VDSS = 60V RDS(on) = 12mΩ
G S
ID = 84A
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from |
International Rectifier |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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