IRFD123の購入情報と機能
| この部品の機能は「(IRFD120) N-Channle Enhancement Mode Transistors」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| IRFD123 Transistor | (IRFD120) N-Channle Enhancement Mode Transistors |
Siliconix |
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| IRFD123 Transistor | (IRFD120) TMOS Field Effect Transistor / Dual In-Line Package |
Motorola Semiconductors |
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| IRFD123 MOSFET | (IRFD120 / IRFD121 / IRFD122 / IRFD123) N-Channel Power MOSFETs |
Harris Semiconductor |
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| IRFD123 MOSFET | N-Channel Power MOSFETs PD - 97015
IRFD123
www.irf.com
1 06, 09, 05
IRFD123
2
www.irf.com
IRFD123
www.irf.com
3
IRFD123
4
www.irf.com
IRFD123
www.irf.com
5
IRFD123
6
www.irf.com
IRFD123
Peak Diode Recovery dv, dt Test Circuit
+
Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakag |
International Rectifier |
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| IRFD123 Transistor | (IRFD122) Field Effect Power Transistor |
General Electric Solid State |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| IRF231R | Trans MOSFET N-CH 150V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |  New Jersey Semiconductor |
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| IRFHM830DTRPbF | HEXFET Power MOSFET IRFHM830DPbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
30 4.3 13 1.1 40
V mΩ nC Ω A
3.3mm x 3.3mm PQFN
Qg (typical) RG (typical) ID
(@Tc(Bottom) = 25°C)
h
Applications
Synchronous MOSFET for Buck Converters
Features and Benefits
Features Low RDSon (≤ 4.3mΩ )
Schottky intrinsic |
International Rectifier |
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| IRFRC20 | (IRFRC20 / IRFUC20) Power MOSFET | International Rectifier |
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| IRF9630S | Power MOSFET(Vdss=-200V/ Rds(on)=0.80ohm/ Id=-6.5A) | International Rectifier |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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