HFS7N60の購入情報と機能
| この部品の機能は「600V N-Channel MOSFET」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| HFS7N60 MOSFET | 600V N-Channel MOSFET HFS7N60
Dec 2005
BVDSS = 600 V
HFS7N60
600V N-Channel MOSFET
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ (Typ.) )
RDS(on) typ = 0.96 |
SemiHow |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| HFS4N60 | 600V, 4A, N-Channel MOSFET Low RDS(ON) of 2.0Ω (typ.) / Low gate charge of 15nC (typ.) / Robust avalanche energy handling |
 SEMIHOW |
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| HFS7N80 | 800V / 7A / N-Channel MOSFET Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ (Typ.) ) |
SemiHow |
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| HFS27 | SOLID STATE RELAY
0.8 y| ,BA ineZ-
8521, 89~9- 7-2~=
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38B 45B 57B 38B 8QBA 45QBA 57QBA 7 id 9QBA <19 id 4717QBA 4 |
 HF |
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| HFS5N65S | N-Channel MOSFET HFS5N65S
Oct 2009
HFS5N65S
650V N-Channel MOSFET
BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 2.3 ID = 4.2 A
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 n |
SemiHow |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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