FMMT593の購入情報と機能
| この部品の機能は「PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )

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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| FMMT38C | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 3 AUGUST 1996 FEATURES * 60 Volt VCEO * Gain of 10K at IC=0.5 Amp PARTMARKING DETAILS FMMT38A 4J FMMT38B 5J FMMT38C 7J
FMMT38A FMMT38B FMMT38C
C B
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitte |
Zetex Semiconductors |
![]() |
| FMMTA13 | NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS SOT23 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 4 - DECEMBER 1996 COMPLEMENTARY TYPES FMMTA12 NONE FMMTA13 FMMTA63 FMMTA14 FMMTA64
FMMTA12 FMMTA13 FMMTA14
C B E
PARTMARKING DETAILS
FMMTA12 3W FMMTA13 1M FMMTA14 1N SYMBOL VCBO VCEO VCES VEBO IC Ptot Tj:Tstg 20 10 300 330 -55 to +150 |
Zetex Semiconductors |
![]() |
| FMM65-015P | Trench Power MOSFET
Advanced Technical Information
Trench Power MOSFET
-Phaseleg Topologyin ISOPLUS i4-PACTM
FMM 65-015P ID25
VDSS RDSon
T1
= 65 A = 150 V = 12.5 mΩ
T2
1 5
MOSFET T1, T2 Symbol VDSS VGS ID25 ID90 IF25 IF90 TC = 25°C TC = 90°C (diode) TC = 25°C (diode) TC = 90°C Conditions TVJ = 25°C to TV |
![]() IXYS Corporation |
![]() |
| FMMT591CSM | Bipolar PNP Device FMMT591CSM
Dimensions in mm (inches).
0.51 ± 0.10 (0.02 ± 0.004) 0.31 rad. (0.012)
2.54 ± 0.13 (0.10 ± 0.005)
3
2
1
1.91 ± 0.10 (0.075 ± 0.004) 3.05 ± 0.13 (0.12 ± 0.005) A=
0.76 ± 0.15 (0.03 ± 0.006)
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package fo |
![]() Seme LAB |
![]() |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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