FMB100の購入情報と機能
| この部品の機能は「NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| FMB100 Amplifier | NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier FMB100
Discrete POWER & Signal Technologies
FMB100
C2 E1 C1
B2 E2
pin #1 B1
SuperSOT™-6
Mark: .NA
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10.
Absolute Maximum Ratings*
Sy |
Fairchild Semiconductor |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| FMB24L | Schottky Barrier Diodes |
 Sanken Electric |
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| FMB-G12L | Schottky Barrier Diodes 20V Schottky Barrier Diodes
Absolute Maximum Ratings Parameter Type No. VRM (V) I F (AV) (A)
With Heatsink
20V
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Others Rth ( j-c) Mass Remarks Fig. (°C, W) (g) IF (A) IR (mA) VR = VRM IR (H) (mA) VR=VRM, Ta=100°C
IFSM (A)
50H- Half-cycle Sinewave Single Shot
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 Sanken electric |
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| FMBT5550 | High Voltage NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |  Formosa MS |
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| FMB-G24H | Schottky Barrier Diodes 40V Schottky Barrier Diodes
Absolute Maximum Ratings Parameter Type No. VRM (V) I F (AV) (A) IFSM (A)
50H- Half-cycle Sinewave Single Shot
40V
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Others Rth ( j-c) (°C, W) Mass Fig. (g) IR (mA) IF (A) VR = VRM max IR (H) (mA) VR = VRM Ta =100°C max
Tj (°C)
Tst |
Sanken electric |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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