D10XB40の購入情報と機能
| この部品の機能は「Diode, Rectifier」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| D10XB40 Diode | Diode, Rectifier |
American Micro semiconductor |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| D1005UK | METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1005UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
A B C
1
2
D E
4 M
3
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 80W 28V 175MH- SINGLE ENDED
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
F
G
H
K
I
J
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS LOW Crss SIMPLE BIAS CIRCUITS LOW NO |
 Seme LAB |
|
| D1088 | 250V, 6A, NPN Transistor, 2SD1088 ·With TO-220 package ·High DC current gain ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For switching igniter applications |
 SavantIC |
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| D1031 | METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1031UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm.
5.50 ± 0.15 1.27 ± 0.05 2 PL. 2 PL. 0.47 1.65 2 PL. 0.3 R. 4 PL.
2.313 ± 0.2
4 3
3.00 2.07 0.381 2 PL. 2 PL.
5
1.27
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 10W 28V 1GH- SINGLE ENDED
0.360 ± 0.005
6
1. |
Seme LAB |
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| D1010UK | METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1010UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
C (2 pls)
B
G (typ)
2 1
H D
3
P (2 pls) A
5
4
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 125W 28V 500MH- PUSH PULL
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
E (4 pls) F I
N
M
O
J
K
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
D |
Seme LAB |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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