C2878の購入情報と機能
| この部品の機能は「NPN Transistor, 2SC2878」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| C2878 Transistor | NPN Transistor, 2SC2878 2SC2878
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type
2SC2878
Unit: mm
For Muting and Switching Applications
High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min) High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = 2 V, IC = 4 mA) Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB = 5 mA)
Absolute Maximum Rat |
Toshiba Semiconductor |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| C2884 | NPN Transistor, 2SC2884 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC2884
2SC2884
Audio Frequency Amplifier Applications
Unit: mm
High DC current gain: hFE = 100 to 320 Suitable for output stage of 1 watts amplifier Small flat package PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) Complementa |
 Toshiba |
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| C2808 | Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor |  ROHM Semiconductor |
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| C2873 | NPN Transistor, 2SC2873 2SC2873
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2873
Power Amplifier Applications Power Switching Applications
Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High-speed switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) Small flat package PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a c |
Toshiba Semiconductor |
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| C2824 | NPN Transistor, 2SC2824 |
Toshiba Semiconductor |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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