BLV36の購入情報と機能
| この部品の機能は「Trans GP BJT NPN 33V 12.5A 4-Pin SOT-147」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| BLV36 Data | Trans GP BJT NPN 33V 12.5A 4-Pin SOT-147 |
New Jersey Semiconductor |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| BLV861 | UHF linear push-pull power transistor DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D099
BLV861 UHF linear push-pull power transistor
Product speci cation Supersedes data of 1998 Jan 14 1998 Jan 16
Philips Semiconductors
Product speci cation
UHF linear push-pull power transistor
FEATURES Double stage internal input and outp |
 NXP Semiconductors |
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| BLV2N60 | N-channel Enhancement Mode Power MOSFET BLV2N60
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Avalanche Energy Specified Fast Switching Simple Drive Requirements
BVDSS RDS(ON) ID
600V 4.4Ω 2A
Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling’s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode |
 SHANGHAI BELLING |
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| BLV91-SL | UHF power transistor DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BLV91, SL UHF power transistor
Product speci cation September 1988
Philips Semiconductors
Product speci cation
UHF power transistor
DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor designed for use in mobile radio transmitters in the 900 MH- band. FEATURE |
 Philips |
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| BLV40N20 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BLV40N20
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
低 通 阻 低反向 容
Preliminary SEP. 2009
BVDSS RDS(ON) ID
200V 50mΩ 40A
品介 200V 40A 大功率 VDMOS 器件， 通 阻小、 ，适合 PDP 路使用
最大 定 ( TC=25oC 除非 有 明 )
符 VDS VGS ID
IDR
源漏 |
 BELLING |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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