BFT80の購入情報と機能
| この部品の機能は「Bipolar PNP Device」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| BFT80 Data | Bipolar PNP Device BFT80
Dimensions in mm (inches).
8.51 (0.34) 9.40 (0.37)
7.75 (0.305) 8.51 (0.335)
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar PNP Device.
6.10 (0.240) 6.60 (0.260)
12.70 (0.500) min.
0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia.
VCEO = 60V
5.08 (0.200) typ.
IC |
Semelab PLC |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| BFT12 | NPN SILICON RF BROADBAND TRANSISTOR |  Siemens Semiconductor Group |
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| BFT36A | PNP SILICON TRANSISTOR BFT36A
MECHANICAL DATA Dimensions in mm(inches)
PNP SILICON TRANSISTOR
8 .8 9 (0 .3 5 ) 9 .4 0 (0 .3 7 )
FEATURES
5 .0 8 (0 .2 0 0 ) ty p .
7 .7 5 (0 .3 0 5 ) 8 .5 1 (0 .3 3 5 )
FAST SWITCHING HIGH PULSE POWER
2 .5 4 (0 .1 0 0 )
6 .1 0 (0 .2 4 0 ) 6 .6 0 (0 .2 6 0 )
0 .6 6 (0 .0 2 6 ) 1 |
 Seme LAB |
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| BFT57 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package BFT57
Dimensions in mm (inches).
5.84 (0.230) 5.31 (0.209) 4.95 (0.195) 4.52 (0.178)
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package.
Bipolar NPN Device. VCEO = 160V
0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia.
IC = 0.2A
All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance wi |
Seme LAB |
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| BFT92W | PNP 4 GHz wideband transistor DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFT92W PNP 4 GH- wideband transistor
Product speci cation File under Discrete Semiconductors, SC14 May 1994
Philips Semiconductors
Philips Semiconductors
Product speci cation
PNP 4 GH- wideband transistor
FEATURES High power gain Gold metallization ensures |
 NXP Semiconductors |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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