2SD91の購入情報と機能
| この部品の機能は「NPN Transistor」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| 2SD91 Transistor | NPN Transistor |
ETC |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SD2537 | Medium Power Transistor (25V/ 1.2A) 2SD2537
Transistors
Medium Power Transistor (25V, 1.2A)
2SD2537
!Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VEBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=0.3V at IC, IB=500mA, 10mA) !External dimensions (Units : mm)
2SD2537
4.0 1.0 2.5 0.5
1.5 0.4
(1)
3.0
0.5
(3)
C |
 ROHM Semiconductor |
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| 2SD2259 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) Transistor
2SD2259
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency amplification
Unit: mm
6.9±0.1
0.15
1.05 2.5±0.1 ±0.05
(1.45) 0.8
0.5 4.5±0.1
0.7
4.0
s Features
q q q
0.65 max.
1.0 1.0
High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). A |
 Panasonic Semiconductor |
|
| 2SD2469A | Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) Power Transistors
2SD2469, 2SD2469A
Silicon NPN epitaxial planar type
For power switching Complementary to 2SB1607
Unit: mm
4.6±0.2 φ3.2±0.1 9.9±0.3 2.9±0.2
s Features
q q q q
4.1±0.2 8.0±0.2 Solder Dip
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory linearity of foward |
Panasonic Semiconductor |
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| 2SD2220 | Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For low-frequency amplification) Power Transistors
2SD2220
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
For low-frequency amplification
7.5±0.2
Unit: mm
4.5±0.2
10.8±0.2
s Features
q
3.8±0.2
90° 0.65±0.1 0.85±0.1
q q
s Absolute Maximum Ratings
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Em |
Panasonic Semiconductor |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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