2SD862の購入情報と機能
| この部品の機能は「Silicon Epitaxial Planar Transistor(GENERAL DESCRIPTION)」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| 2SD862 Transistor | Silicon Epitaxial Planar Transistor(GENERAL DESCRIPTION) 2SD862
GENERAL DESCRIPTION
Silicon Epitaxial Planar Transistor
Silicon NPN high frequency, Low Vce(sat) middle power transistors in a plastic envelope, primarily for use in audio and general purpose
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
TO-126
CONDITIONS VBE = 0V TYP
VCESM VCEO IC ICM Ptot VCEsat VF tf
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Wing Shing Computer Components |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SD467 | Silicon NPN Epitaxial 2SD467
Silicon NPN Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SB561
Outline
TO-92 (1)
1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1
2SD467
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collect |
 Hitachi Semiconductor |
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| 2SD1468S | MEDIUM POWER TRANSISTOR Muting Transistor (15V, 1A)
2SD1468S
Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.08V at Ic , IB = 500mA , 500 A. 2) Ideal for low voltage, high current drives. 3) High DC current gain and high current. Dimensions (Unit : mm)
SPT
4.0
3.0
2.0
(15Min.)
3Min.
0.45
2.5 5.0
(1) (2) |
 ROHM Semiconductor |
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| 2SD1864 | Power Transistor Power Transistor (50V, 3A)
2SD1864
Features 1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC, IB = 2A , 0.2A) 2) Complements the 2SB1243.
Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
Dimensions (Unit : mm)
2SD1864
6.8±0.2
2.5±0.2
4.4±0.2
1.0 0.9
0.65Max.
14.5±0.5
0.5±0.1 (1) ( |
ROHM Semiconductor |
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| 2SD1309 | NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |  ETC |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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