2SD313の購入情報と機能
| この部品の機能は「POWER TRANSISTORS(3A/60V/30W)」です。 |
|
|
製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| 2SD313 Transistor | POWER TRANSISTORS(3A/60V/30W) A
A
A
|
Mospec Semiconductor |
|
| 2SD313 Transistor | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
Wing Shing Computer Components |
|
| 2SD313 Transistor | (2SD313 / 2SD314) PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE |
Sanyo Semicon Device |
|
| 2SD313 Transistor | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
Unisonic Technologies |
|
| 2SD313 Transistor | Plastic-Encapsulate Transistors |
TRANSYS Electronics Limited |
|
PDF and Buy Now
関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SD1427 | HORIZONTAL DEFLECTION POWER TRANSISTOR A
A
A
|
Mospec Semiconductor |
|
| 2SD2113 | Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD2113
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1.5A ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @ IC= 1.5A, |
 Inchange Semiconductor |
|
| 2SD1541 | SI NPN TRIPLE DIFFUSED JUNCTION MESA |  Panasonic Semiconductor |
|
| 2SD2707 | General Purpose Transistor (50V/ 0.15A) 2SD2707 , 2SD2654 , 2SD2351 , 2SD2226K , 2SD2227S
Transistors
General Purpose Transistor (50V, 0.15A)
2SD2707 , 2SD2654 , 2SD2351 , 2SD2226K , 2SD2227S
zFeatures 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC, IB=50mA, |
 ROHM Semiconductor |
|
|
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
|
|