2SC5827の購入情報と機能
| この部品の機能は「Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| 2SC5827 Transistor | Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier 2SC5827
Silicon NPN Epitaxial VHF, UHF wide band amplifier
ADE 208 1464(Z) Rev.0 Nov. 2001 Features
Super compact package: MFPAK (1.4 x 0.8 x 0.59 mm)
Outline
MFPAK
3
1 2
1. Emitter 2. Base 3. Collector
Note: Marking is “WW ”.
2SC5827
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25 °C)
Item Collecto |
Hitachi Semiconductor |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SC3908 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |  Mitsubishi Electric Semiconductor |
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| 2SC4957-T1 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC4957
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
FEATURES
Low Noise, High Gain Low Voltage Operation Low Feedback Capacitance Cre = 0.3 pF TYP.
0.4 +0.1 0.05 0.4 +0.1 0.05 3 4 0 to 0.1 5˚ 0.16 +0.1 0.06 0.4
+0.1 0.0 |
 NEC |
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| 2SC6026MFV | Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6026MFV
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6026MFV
General-Purpose Amplifier Applications
High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA), hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.)
0.8 ± 0.05 1.2 ± 0.05 0.22 ± 0.05 |
 Toshiba Semiconductor |
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| 2SC1185 | SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC1185
DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Wide area of safe operation ·High breakdown voltage :VCEO=250V(min) APPLICATIONS ·For voltage regulator,inverter,switching mode power supply applications.
PINNING(see Fig.2) PI |
 SavantIC |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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