2SC5193-T1の購入情報と機能
| この部品の機能は「MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR COMPACT MINI MOLD」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
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| 2SC5193-T1 Transistor | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR COMPACT MINI MOLD DATA SHEET SHEET DATA
SILICON TRANSISTOR
2SC5193
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR COMPACT MINI MOLD
FEATURES
Low Voltage Operation, Low Phase Distortion Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GH- NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GH- |
NEC |
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| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
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| 2SC5784 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5784
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5784
High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications
High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.15 A) Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max) High-speed switching: tf = 45 ns (typ.) Industrial |
 Toshiba Semiconductor |
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| 2SC4754 | NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING/ HIGH SPEED DC-DC CONVERTER AND SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS) | Toshiba Semiconductor |
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| 2SC5191 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC5191
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FEATURES
Low Voltage Operation, Low Phase Distortion Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GH- NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GH- Large Absolute Maximum Colle |
NEC |
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| 2SC4164 | Switching Regulator Applications |  Sanyo Semicon Device |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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