2SC5052の購入情報と機能
| この部品の機能は「NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO POWER/ DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| 2SC5052 Transistor | NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO POWER/ DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
Toshiba Semiconductor |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SC5882 | SILICON NPN EPITAXIAL TRANSISTOR | ![]() ETC |
![]() |
| 2SC4381 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(TV Vertical Output/ Audio Output Driver and General Purpose) 2SC4381, 4382
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1667, 1668) sAbsolute maximum ratings
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg (Ta=25°C) Unit V V V A A W °C °C
Application : TV Vertical Output, Audio Output Driver and General Purpose
(Ta=25°C)
sElectrical Chara |
![]() Sanken electric |
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| 2SC5232 | Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC5232
General Purpose Amplifier Applications Switching and Muting Switch Application
2SC5232
Unit: mm
Low saturation voltage: VCE (sat) (1) = 15 mV (typ.) @IC = 10 mA, IB = 0.5 mA
Large collector current: IC = 500 mA (max)
Absolute M |
Toshiba Semiconductor |
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| 2SC3797 | Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
2SC3797
DESCRIPTION ·Collector-Base Breakdown Voltage: V(BR)CBO= 800V(Min.) ·Low Collector Saturation Voltage ·High Speed Switching
·
APPLICATIONS ·Designed for high speed switching applications.
ABSOLUTE |
Inchange Semiconductor |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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