2SC4784の購入情報と機能
| この部品の機能は「Silicon NPN Epitaxial」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| 2SC4784 Transistor | Silicon NPN Epitaxial 2SC4784
Silicon NPN Epitaxial
Application
VHF , UHF wide band amplifier
Features
High gain bandwidth product fT = 10 GH- Typ. High gain, low noise figure PG = 15.0 dB Typ, NF = 1.2 dB Typ at f = 900 MHz
Outline
CMPAK
3
1 2
1. Emitter 2. Base 3. Collector
2SC4784
Absolute Maximum Ratings (T |
Hitachi Semiconductor |
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| 2SC4784 Transistor | Silicon NPN Epitaxial |
Renesas |
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PDF and Buy Now
関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SC3970 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) Power Transistors
2SC3970, 2SC3970A
Silicon NPN triple diffusion planar type
For high breakdown voltage high-speed switching
0.7±0.1
Unit: mm
10.0±0.2 5.5±0.2 2.7±0.2 4.2±0.2 φ3.1±0.1 1.4±0.1 1.3±0.2 0.8±0.1 0.5 +0.2 0.1 2.54±0.25 5.08±0.5 1 2 3 4.2±0.2
s Features
q q q q q
High-sp |
 Panasonic Semiconductor |
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| 2SC2833A | SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC2833 2SC2833A
DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High speed switching ·High VCBO ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For high speed switching applications PINNING
PIN 1 2 3 Base Collector;connected to |
 SavantIC |
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| 2SC1965A | (2SCxxxxA) Transistors w
w
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S a t
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 ETC |
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| 2SC3356W | Silicon Epitaxial Planar Transistor
BL Galaxy Electrical
Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
- Low noise and high gain: NF=1.1dB TYP, Ga=11dB TYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz
Production specification
2SC3356W
Pb
Lead-free
z
High power gain:MAG=13dB TYP. @VCE=10V.IC=20mA,f=1.0GHz
APPLICATIONS
- NPN Silicon Epitaxial Plana |
 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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