2SC3325の購入情報と機能
| この部品の機能は「Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| 2SC3325 Transistor | Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC3325
Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications
2SC3325
Unit: mm
Excellent hFE linearity: hFE (2) = 25 (min) (VCE = 6 V, IC = 400 mA) High voltage: VCEO = 50 V (min) C |
Toshiba Semiconductor |
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| 2SC3325 Transistor | Silicon NPN Epitaxial |
Kexin |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SC2055 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE TRANSISTOR (for RF amplifiers on VHF band portable or hand-held radio applications) |
 Mitsubishi Electric Semiconductor |
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| 2SC3413 | Silicon NPN Epitaxial 2SC3413
Silicon NPN Epitaxial
Application
Low frequency low noise amplifier HF amplifier
Outline
SPAK
1
23
1. Emitter 2. Collector 3. Base
2SC3413
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Colle |
 Hitachi Semiconductor |
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| 2SC2694 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) | Mitsubishi Electric Semiconductor |
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| 2SC1775 | Silicon NPN Epitaxial 2SC1775, 2SC1775A
Silicon NPN Epitaxial
Application
Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA872, A
Outline
TO-92 (1)
1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1
2SC1775, 2SC1775A
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Em |
Hitachi Semiconductor |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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