2SA2018の購入情報と機能
| この部品の機能は「Low frequency transistor」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| 2SA2018 Transistor | Low frequency transistor 2SA2030 , 2SA2018 , 2SA2119K
Low frequency transistor(-12V, -500mA)
Datasheet
Parameter
VCEO IC
Value
-12V -500mA
lFeatures 1)High current. 2)Collector-Emitter saturation voltage is low. VCE(sat) 250mA at IC=-200mA, IB=-10mA
lApplication LOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVER
lInner circuit 2SA20 |
ROHM Semiconductor |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SA1245 | Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SA1245
High Frequency Amplifier and Switching Applications VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
2SA1245
Unit: mm
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collec |
 Toshiba Semiconductor |
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| 2SA1078 | SILICON PNP RING EMITTER TRANSISTOR (RET) |  Fujitsu Media Devices Limited |
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| 2SA1515 | Medium Power Transistor Transistors
Medium Power Transistor (*32V, *1A)
2SB1132 , 2SA1515S , 2SB1237
FFeatures 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.2V (Typ.) (IC , IB = 500mA , 50mA) 2) Compliments 2SD1664 , 2SD1858. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor FExternal dimensions (Units: mm)
(96-120-B12)
2 |
ROHM Semiconductor |
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| 2SA1365 | FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
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 ETC |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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