2SA1037AKRLT1の購入情報と機能
| この部品の機能は「General Purpose Transistors(PNP Silicon)」です。 |
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製品の詳細 ( データシート PDF )
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | PDF / カテゴリー |
|---|---|---|---|
| 2SA1037AKRLT1 Transistor | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
Leshan Radio Company |
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関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SA1953 | Silicon PNP Epitaxial Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1953
General Purpose Amplifier Applications Switching and Muting Switch Application
2SA1953
Unit: mm
Low saturation voltage: VCE (sat) (1) = 15 mV (typ.) @IC = 10 mA, IB = 0.5 mA
Large collector current: IC = 500 mA (max)
Absolu |
Toshiba Semiconductor |
![]() |
| 2SA2069 | Silicon PNP Epitaxial Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
2SA2069
High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications
2SA2069
Unit: mm
High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.15 A) Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.14 V (max) High-speed switching: tf = 37 ns (typ.) |
Toshiba Semiconductor |
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| 2SA968 | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR PCT PROCESS | ![]() ETC |
![]() |
| 2SA1909 | Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose) 2SA1909
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC5101) sAbsolute maximum ratings
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SA1909 140 140 6 10 4 80(Tc=25°C) 150 55 to +150 (Ta=25°C) Unit V V V A A W °C °C
Application : Audio and General Purpose
(Ta=25°C) 2SA1909 10ma |
![]() Sanken electric |
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データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
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