TPCS8212 データシート PDF
この部品の機能は「Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)」です。
TPCS8212 Datasheet |
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| TPCS8212 | Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) TPCS8212
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
TPCS8212
Lithium Ion Battery Applications
Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 16 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 11 S (typ.) Low leakage cu | ![]() | |
関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| TPC8105-H | High Speed and High Efficiency DC-DC Converters | Toshiba Semiconductor | ![]() |
| TPC18CA | TVS Diode, Rectifier www.vishay.com
TPC11CA thru TPC36CA
Vishay General Semiconductor
Surface Mount PAR® Transient Voltage Suppressors
Bi-directional 1500 W TVS in TO-277 (SMPC) Package
eSMP® Series
TO-277A (SMPC)
Terminal 1 Terminal 2
FEATURES Junction passivation optimized PAR® design
TJ = 185 °C capability | ![]() Vishay | ![]() |
| TPC33CA | TVS Diode, Rectifier | ![]() Vishay | ![]() |
| TPC11CA | TVS Diode, Rectifier www.vishay.com
TPC11CA thru TPC36CA
Vishay General Semiconductor
Surface Mount PAR® Transient Voltage Suppressors
Bi-directional 1500 W TVS in TO-277 (SMPC) Package
eSMP® Series
TO-277A (SMPC)
Terminal 1 Terminal 2
FEATURES Junction passivation optimized PAR® design
TJ = 185 °C capability | ![]() Vishay | ![]() |
| TPC30CA | TVS Diode, Rectifier | ![]() Vishay | ![]() |
| 当社のサイトでは、半導体やセンサーからモーター、電源に至るまで、さまざまな製品のデータシートを簡単に検索してダウンロードできる集中型プラットフォームを提供しています。 |


