IKW50N60T データシート PDF
この部品の機能は「IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor」です。
IKW50N60T Datasheet |
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| IKW50N60T | IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor IKW50N60T
TRENCHSTOP™ Series
q
Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
Features:
Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175°C Short circuit withstand time 5 s Designed for :
- |  |  |
| IKW50N60TA | IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor |  | |
関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| IKW50N60DTP | IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT
TRENCHSTOP™PerformancetechnologycopackedwithRAPID1 fastanti-paralleldiode
IKW50N60DTP
600VDuoPackIGBTanddiode TRENCHSTOPTMPerformanceseries
Datasheet
IndustrialPowerControl
IKW50N60DTP
TRENCHSTOPTMPerformanceSeries
HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology
Features:
TRENCHSTOPTMtechnolog | Infineon | |
| IKW30N60DTP | IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor | Infineon | |
| IKW75N60H3 | IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor !"#$%&' (
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< : 7 3"34 #& =7 &4 "& 7 < &4 "34"&3 | Infineon | |
| IKW40N60DTP | IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor | Infineon | |
| IKW40N60H3 | 600V DuoPack IGBT and Diode IGBT
HighspeedDuoPackIGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecovery anti-paralleldiode
IKW40N60H3
600VDuoPackIGBTandDiode Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl
IKW40N60H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
HighspeedDuoPack:IGBTinTrenchandFieldst | Infineon | |
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