FDMC86320 データシート PDF
この部品の機能は「MOSFET, Transistor」です。
FDMC86320 Datasheet |
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| FDMC86320 | MOSFET, Transistor FDMC86320 N-Channel Power Trench® MOSFET
FDMC86320
N-Channel Power Trench® MOSFET
80 V, 22 A, 11.7 mΩ
June 2014
Features
General Description
Max rDS(on) = 11.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 10.7 A Max rDS(on) = 16 mΩ at VGS = 8 V, ID = 8.5 A MSL1 robust package design 100% UIL Tested RoHS Co |  |  |
関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| FDMC86260ET150 | MOSFET, Transistor | Fairchild Semiconductor | |
| FDMC612PZ | MOSFET, Transistor FDMC612PZ P-Channel PowerTrench® MOSFET
FDMC612PZ
P-Channel PowerTrench® MOSFET
-20 V, -14 A, 8.4 mΩ
October 2013
Features
General Description
Max rDS(on) = 8.4 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -14 A Max rDS(on) = 13 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -11 A High performance trench technology for extremel | Fairchild Semiconductor | |
| FDMA86265P | MOSFET, Transistor | Fairchild Semiconductor | |
| FDMS3500 | MOSFET, Transistor FDMS3500 N-Channel Power Trench® MOSFET
October 2014
FDMS3500
N-Channel Power Trench® MOSFET
75V, 49A, 14.5m:
tm
Features
General Description
Max rDS(on) = 14.5m: at VGS = 10V, ID = 11.5A Max rDS(on) = 16.3m: at VGS = 4.5V, ID = 10A Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) | Fairchild Semiconductor | |
| FDMC7200S | Dual N-Channel PowerTrench MOSFETs | Fairchild Semiconductor | |
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