CM50DY-12H データシート PDF
この部品の機能は「MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE」です。
CM50DY-12H Datasheet |
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| CM50DY-12H | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE MITSUBISHI IGBT MODULES
CM50DY-12H
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
A B C F F K
E2 G2
Q - DIA. (2 TYP.)
D
M
G1 E1
J
C2E1 E2 C1
N (3 TYP.) R
S - M5 THD (3 TYP.) R
R
TAB#110 t=0.5
H
L
H P
E
G
Description: Mitsubishi IGBT Modules are designed for use in switching applications. |  |  |
| CM50DY-12H | Dual IGBTMOD 50 Amperes/600 Volts |  | |
関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| CM5583 | PNP HIGH FREQUENCY SILICON TRANSISTOR 145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
|  Central Semiconductor | |
| CM5943 | NPN HIGH FREQUENCY SILICON TRANSISTOR | Central Semiconductor | |
| CM5160 | PNP HIGH FREQUENCY SILICON TRANSISTOR CM5160
PNP HIGH FREQUENCY SILICON TRANSISTOR
CentralTM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CM5160 is a silicon PNP RF transistor, mounted in a hermetically sealed package, designed for high frequency amplifier and non-saturated switching applications. This device is a replace | Central Semiconductor | |
| CM501 | LCD screen IC Chip ( QFN48 ) |  CMO | |
| CM50TF-12H | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE MITSUBISHI IGBT MODULES
CM50TF-12H
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
A B C
BuP EuP BvP EvP BwP EwP
P
J
N
u v w
E
N
D
BuN EuN
BvN EvN
BwN EwN
S - DIA. (2 TYP.)
M R
F R L
F R L
K
Q TAB #110, t = 0.5
TAB #250, t = 0.8
G P
H
R
P (BuP) GuP EuP u (BvP) GvP EvP v (BwP) GwP EwP | Mitsubishi Electric Semiconductor | |
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