ACE605 データシート PDF
この部品の機能は「Ultra Low Dropout 2A CMOS LDO」です。
ACE605 Datasheet |
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| ACE605 | Ultra Low Dropout 2A CMOS LDO |  |  |
関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| ACE5212A | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |  ACE Technology | |
| ACE24C256B | Two-wire Serial EEPROM ACE24C128B, 256B, 512B
Two-wire Serial EEPROM
Description The ACE24C128B, 256B, 512B provides 131,072, 262,144, 524,288 bits of serial electrically erasable and programmable read-only memory (EEPROM), organized as 16,384, 32,768, 65,536 words of 8 bits each. The device is optimized for use in many | ACE Technology | |
| ACE7333M | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | ACE Technology | |
| ACE1551A | N-Channel MOSFET ACE1551A
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Description The ACE1551A is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior sw | ACE Technology | |
| ACE4922BEM | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ACE Technology | |
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