55N03LT データシート PDF
この部品の機能は「25V, 55A, Logic Level FET」です。
55N03LT Datasheet |
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 55N03LT | 25V, 55A, MOSFET ( PHB55N03LT ) N-channel TrenchMOS transistor, Very low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance Logic level compatible |  |  |
| 55N03LTA | 25V, 55A, Logic Level FET |  | |
関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 55N10 | N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
55N10
DESCRIPTION ·Drain Current ID= 55A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS= 100V(Min) ·Fast Switching Speed
APPLICATIONS ·General purpose power amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃)
SYMBOL
PARAMET |  Inchange Semiconductor | |
| 55N03LTA | 25V, 55A, Logic Level FET | Philips | |
| 55NF06 | N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 55NF06
®
Pb Free Plating Product
55NF06
Pb
N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR
50 AMPERE 60 VOLT N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
12 3 TO-251, IPAK
ThinkiSemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistanc |  THINKISEMI | |
| 55N17B | MCF For MCA / Personal Radio |  Nihon | |
| 55N20E | MTY55N20E MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MTY55N20E, D
Designer's
TMOS E-FET .™ Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate
This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy eff |  Motorola Semiconductors | |
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