2SC1729 データシート PDF
この部品の機能は「NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF power amplifiers on VHF band mobile radio)」です。
検索結果を表示する |
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SC1729 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF power amplifiers on VHF band mobile radio) |  |  |
関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SC945 | Transistors |  USHA | |
| 2SC945 | Silicon Epitaxial Planar Transistor Production specification
Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
- High voltage and high current. - Excellent hFE linearity. - Low noise.
Pb
Lead-free
2SC945
APPLICATIONS
- Audio frequency amplifier.
ORDERING INFORMATION
Type No.
Marking
2SC945
CR
SOT-23
Package Code SOT-23
MAXIMUM |  Galaxy Microelectronics | |
| 2SC945M | Silicon NPN transistor |  BLUE ROCKET ELECTRONICS | |
| 2SC536KM | SILICON NPN TRANSISTOR 2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM)
硅 NPN 半 三 管, SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于小信 一般放大 路。
Purpose: Small signal general purpose amplifier applications.
限 , Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
符
位
Symbol
Rating
Unit
VCBO VCEO VEBO
3DG536M 3DG536 |  LZG | |
| 2SC536M | SILICON NPN TRANSISTOR | LZG | |
| 当社のサイトでは、半導体やセンサーからモーター、電源に至るまで、さまざまな製品のデータシートを簡単に検索してダウンロードできる集中型プラットフォームを提供しています。 |