2SC1359 データシート PDF
この部品の機能は「Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)」です。
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| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SC1359 | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification) Transistor
2SC1359
Silicon NPN epitaxial planer type
For high-frequency amplification Complementary to 2SA838
Unit: mm
5.0±0.2 4.0±0.2
s Features
q q
Optimum for RF amplification of FM, AM radios. High transition frequency fT.
s Absolute Maximum Ratings
Parameter Collector to base voltage Coll |  |  |
関連検索結果
| 部品番号 | 部品情報 | メーカー | |
|---|---|---|---|
| 2SC945 | Transistors |  USHA | |
| 2SC945 | Silicon Epitaxial Planar Transistor Production specification
Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
- High voltage and high current. - Excellent hFE linearity. - Low noise.
Pb
Lead-free
2SC945
APPLICATIONS
- Audio frequency amplifier.
ORDERING INFORMATION
Type No.
Marking
2SC945
CR
SOT-23
Package Code SOT-23
MAXIMUM |  Galaxy Microelectronics | |
| 2SC945M | Silicon NPN transistor |  BLUE ROCKET ELECTRONICS | |
| 2SC536KM | SILICON NPN TRANSISTOR 2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM)
硅 NPN 半 三 管, SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于小信 一般放大 路。
Purpose: Small signal general purpose amplifier applications.
限 , Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
符
位
Symbol
Rating
Unit
VCBO VCEO VEBO
3DG536M 3DG536 |  LZG | |
| 2SC536M | SILICON NPN TRANSISTOR | LZG | |
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